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HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................. –150V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.53Ω • ID ...................................................................... –6A • Integrated Fast Recovery Dio

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.53 Ω • ID : – 6 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-8-5 18:00:01
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