型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FX6KMJ-3

HIGH-SPEED SWITCHING USE

HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................. –150V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.53Ω • ID ...................................................................... –6A • Integrated Fast Recovery Dio

Mitsubishi

三菱电机

FX6KMJ-3

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.53 Ω • ID : – 6 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

RENESAS

瑞萨

FX6KMJ-3

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 150 V • rDS(ON) (max) : 0.53 Ω • ID : – 6 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

RENESAS

瑞萨

FX6KMJ-3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FX6KMJ-3

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    HIGH-SPEED SWITCHING USE

更新时间:2025-11-23 18:00:00
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