位置：首页 > IC中文资料第52页 > FT150R12KE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PWR MODULE | Infineon 英飞凌 |   | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘托盘 描述：IGBT MOD 1200V 200A 700W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1 | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MOD 1200V 200A 700W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4 | Infineon 英飞凌 | | ||
62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode | eupec | | ||
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT-Module IGBT-inverter diode-inverter NTC-thermistor | eupec | | ||
IGBT-modules 文件：351.74 Kbytes Page：8 Pages | eupec | | ||
IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter 文件：455.95 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
FT150R12KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FT150R12KE3
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FANGTEK |
25+ |
QFN |
2650 |
原装优势!绝对公司现货 |
|||
FTS |
2016+ |
SOT23-6 |
6000 |
全新原装现货,量大价优,公司可售样! |
|||
Infineon Technologies |
25+ |
模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
FANGTEK |
22+ |
QFN |
5000 |
全新原装现货!价格优惠!可长期 |
|||
FANGTEK |
23+ |
QFN |
53782 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
INFINEON |
23+ |
Module |
8000 |
只做原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
Module |
7000 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
FANGTEK |
24+ |
NA/ |
2615 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FANGTEK |
25+23+ |
QFN |
32626 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
FT150R12KE3规格书下载地址
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原厂 原包装 绝无虚假
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FT230XS，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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FT232BL，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-7-31
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