FF150R12KE3G价格

参考价格:¥645.7166

型号:FF150R12KE3G 品牌:Infineon 备注:这里有FF150R12KE3G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FF150R12KE3G批发/采购报价,FF150R12KE3G行情走势销售排行榜,FF150R12KE3G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FF150R12KE3G

62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode

62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode

eupec

FF150R12KE3G

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode

62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode

Infineon

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MODULE VCES 1200V 150A 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Infineon

英飞凌

IGBT-Module

IGBT-inverter diode-inverter NTC-thermistor

eupec

IGBT-modules

文件:351.74 Kbytes Page:8 Pages

eupec

IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter

文件:455.95 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

FF150R12KE3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FF150R12KE3G

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 150A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-8-12 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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Module
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MODULE
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