位置：首页 > IC中文资料第12763页 > FQPF55N06
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 55mΩ ID 6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve | ISC 无锡固电 | | ||
60V N-Channel MOSFET 文件：1.18877 Mbytes Page：10 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
60V N-Channel MOSFET 文件：1.18877 Mbytes Page：10 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | |
FQPF55N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF55N06
- 功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-220F
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMC |
25+23+ |
SMD8 |
36116 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
EMC |
2026+ |
SOP-8 |
3029 |
原装正品,假一罚十! |
|||
ROHM |
24+ |
SMD |
42746 |
新进库存/原装 |
|||
EMC |
1729+ |
SOP8 |
3722 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
EMC/杰力 |
2450+ |
SOP8 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ROHM |
16+ |
SOT-463 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
EMC杰力 |
22+ |
SOP-8 |
20000 |
只做原装 |
|||
ROHM |
21+ |
SOT-563 |
21000 |
一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
EMC |
1922+ |
SOP |
7880 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
FQPF55N06规格书下载地址
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