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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.42Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-29 9:40:01
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