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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=79mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=79mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

300VN-ChannelMOSFET

文件:697.97 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2025-6-24 22:59:01
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