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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V, 30A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V, 30A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Motorola

摩托罗拉

CED30N08

文件:577.79 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:949.61 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-7 15:07:01
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