| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 80V,30A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 |  |   | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 80V,30A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | | |
POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR
| MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
CED30N08 文件：577.79 Kbytes Page：4 Pages | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 |  | | |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：949.61 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO220 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VBsemi |
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TO220 |
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