型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友顺

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

无锡固电

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺电子

N-Channel Power MOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FQI6N60CTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQI6N60CTU

  • 功能描述

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NIKOS
24+
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15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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一级代理商进口原装现货、价格合理

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