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位置：首页 > IC中文资料第12520页 > MTB6N60

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB6N60

TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB6N60

TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB6N60E

TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB6N60E1

TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB6N60E1

HighEnergyPowerFET

文件：214.29 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
6N60

AvalancheEnergySpecified

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
6N60

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
6N60

N-CHANNELPOWERMOSFET

文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
6N60

N-ChannelPowerMOSFET

文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI
6N60

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

MTB6N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB6N60

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

MTB6N60供应商更多...

更新时间：2024-6-6 14:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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