型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FQI3N30

300VN-ChannelMOSFET

Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

300VN-ChannelMOSFET

Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

300VN-ChannelMOSFET

300VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

300VN-ChannelMOSFET

300VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FQI3N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQI3N30

  • 功能描述

    MOSFET 300V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
4250
原装现货,当天可交货,原型号开票
FSC
0146+
TO-262
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRC
1822+
TO-262(I2
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
FSC
21+
TO-262
1000
原装现货假一赔十
onsemi(安森美)
23+
I2PAK(TO-262)
8498
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRC
2105+
TO-262(I2PAK)
12000
原装正品
FAIRCHILD
08+(pbfree)
TO-262(I2PAK)
8866
FAIRC
2020+
TO-262(I2PAK)
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
FAIRCHILD/仙童
TO-262
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-262-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

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