型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQI3N30

300V N-Channel MOSFET

Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

ONSEMI

安森美半导体

300V N-Channel MOSFET

Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQI3N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQI3N30

  • 功能描述

    MOSFET 300V N-Channel QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-23 11:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRC
23+
TO-262(I2PAK)
7300
专注配单,只做原装进口现货
FAIRCHILD/仙童
23+
I2-PAKTO-262
24190
原装正品代理渠道价格优势
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD
24+
TO-262(I2PAK)
8866
仙童
06+
TO-262
2500
原装库存
Fairchild/ON
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原厂渠道,现货配单
onsemi(安森美)
24+
I2PAK(TO-262)
8498
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
FAIRCHILD
24+
NA
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
4250
原装现货,当天可交货,原型号开票
FSC
0146+
TO-262
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

FQI3N30数据表相关新闻