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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQI32N12V2TU | MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
120V N-Channel MOSFET 文件：649.05 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.04Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.05Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
120V N-Channel MOSFET 文件：649.05 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
120V N-Channel MOSFET 文件：857.87 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FQI32N12V2TU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQI32N12V2TU
- 功能描述
MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童 |
05+ |
TO-262 |
2500 |
原装进口 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
I2PAK(TO-262) |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
592 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FSC |
23+ |
TO-262 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
FSC |
23+ |
TO-262 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FSC |
0146+ |
TO-262 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-262 |
1000 |
原装正品,假一罚十! |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-262 |
8866 |
||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
FQI32N12V2TU规格书下载地址
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