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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FQPF32N12V2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.05Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
FQPF32N12V2 | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FQPF32N12V2 | 120V N-Channel MOSFET 文件：857.87 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.04Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
120V N-Channel MOSFET 文件：649.05 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
120V N-Channel MOSFET 文件：649.05 Kbytes Page：9 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
120V N-Channel MOSFET 文件：857.87 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FQPF32N12V2产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF32N12V2
- 功能描述
MOSFET N_ch/120V/32A Advance
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
35750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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FAIRCHILD |
20+ |
TO-220F |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
32500 |
原装正品,假一罚十! |
|||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1709 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
2000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220F |
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FQPF32N12V2规格书下载地址
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2019-4-15
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