位置：首页 > IC中文资料第1866页 > FQI19N20TU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQI19N20TU | MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
200V N-Channel MOSFET
| FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
200V N-Channel MOSFET-M 文件：5.07505 Mbytes Page：10 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
200V N-Channel MOSFET-T 文件：2.3194 Mbytes Page：8 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | |
FQI19N20TU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQI19N20TU
- 功能描述
MOSFET 200V N-Channel QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
I2PAK(TO-262) |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2026+ |
TO-262 |
850 |
原装正品,假一罚十! |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FSC |
22+ |
TO-262 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
onsemi(安森美) |
25+ |
I2PAK(TO-262) |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
11375 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHI |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FSC |
0126+ |
TO-262 |
850 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
FQI19N20TU规格书下载地址
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