型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

200VN-ChannelMOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology. ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HIGHPOWER125WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

[EXICON] NANDPCHANNELLAERALMOSFETS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

UninterruptiblePowerSupply

Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-Channel200V(D-S)MOSFET

文件:1.6556 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NCHANNELLATERALMOSFET

文件:400.4 Kbytes Page:4 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

FQE10N20LCTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQE10N20LCTU

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    QFET™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-3 14:06:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
11+
TO-252
106
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
FCS
2020+
TO-252
100
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
onsemi(安森美)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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21+
TO-252
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原装正品,自己库存 假一罚十

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