型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

200V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high

Fairchild

仙童半导体

HIGH POWER 125W HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

[EXICON] N AND P CHANNEL LAERAL MOSFETS

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Uninterruptible Power Supply

Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable f

Fairchild

仙童半导体

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:1.6556 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N CHANNEL LATERAL MOSFET

文件:400.4 Kbytes Page:4 Pages

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未分类制造商

FQE10N20LCTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQE10N20LCTU

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    QFET™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-21 20:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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