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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
200VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology. ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
HIGHPOWER125WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS [EXICON] NANDPCHANNELLAERALMOSFETS | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
UninterruptiblePowerSupply Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
N-Channel200V(D-S)MOSFET 文件：1.6556 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
NCHANNELLATERALMOSFET 文件：400.4 Kbytes Page：4 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | |
FQE10N20CTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQE10N20CTU
- 功能描述
MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
2019 |
D-PAK |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
18296 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-2523L( |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原装正品 |
|||
FAIRCHILD |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
FAIRCHI |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-252AA |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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