位置：首页 > IC中文资料第4122页 > FQD20N06LETF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |   | ||
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQING 重庆平伟实业 | |
FQD20N06LETF产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD20N06LETF
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2021+ |
TO252 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
|||
GOFORD |
24+ |
TO-220 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ANALOGPO |
24+ |
TO252 |
5000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
VBsemi |
23+ |
TO220-3L |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO252 |
8700 |
国产南科平替供应大量 |
|||
ON |
2511 |
TO252 |
12800 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
3400 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
ON |
24+ |
TO-251 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
|||
VISHAY |
21+ |
TO-252 |
2500 |
原装现货假一赔十 |
|||
UMW 友台 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品，实单请联系 |
FQD20N06LETF规格书下载地址
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- FQD4N25
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FQD20N06，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-8-29
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