型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWUMW

友台友台半导体

UMW

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FastSwitching

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET

文件:193.72 Kbytes Page:2 Pages

CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET

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CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

FQD20N06LETF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD20N06LETF

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-3-29 9:50:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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