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FQA9N90C价格

参考价格：￥7.4220

型号：FQA9N90C_F109 品牌：Fairchild 备注：这里有FQA9N90C多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FQA9N90C批发/采购报价，FQA9N90C行情走势销售排行榜，FQA9N90C报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA9N90C-F109

丝印代码：FQA9N90C；N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high aval

ONSEMI

安森美半导体

FQA9N90C

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed swit

ISC

无锡固电

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA9N90C

ThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs

文件：2.27004 Mbytes Page：7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

FQA9N90C_F109

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 9.0 A, 1.4 Ω, TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •9A, 900V, RDS(on)= 1.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：45nC)\n•低 Crss（典型值14pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliantcompliant;

ONSEMI

安森美半导体

FQA9N90C-F109

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，9.0 A，1.4 Ω，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •9A, 900V, RDS(on)= 1.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：45nC)\n•低 Crss（典型值14pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliantcompliant;

ONSEMI

安森美半导体

FQA9N90C_06

900V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90C_07

900V N-Channel MOSFET

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仙童半导体

FQA9N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：798.35 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90

900V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

FAIRCHILD

仙童半导体

FQAF9N90

900V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP9N90C

900V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high

FAIRCHILD

仙童半导体

FQPF9N90C

900V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA9N90C产品属性

  • 类型

    描述

  • Compliance：

    Pb-freeHalide free

  • Status：

     Active  

  • Description：

     N-Channel QFET® MOSFET 900V

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

     

  • V(BR)DSS Min (V)：

    900

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    9

  • PD Max (W)：

    280

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    1400

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    45

  • Ciss Typ (pF)：

    2100

  • Package Type：

    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

FQA9N90C供应商更多...

更新时间：2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
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