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芯片资料

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厂家型号	FQA8N80
文件大小	369.15Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc N-Channel MOSFET Transistor MOSFET 800V N-Channel QFET Q-FET
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

FEATURES

·Drain Current –ID=8.4A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS=800V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1.55Ω(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

FQA8N80供应商...

更新时间：2025-8-7 16:12:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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