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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

40A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-8-10 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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6000
十年配单,只做原装

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    富满代理全新现货价格优势长期供应!! 联系方式 QQ:2880524282 Tel:755-88879678 型号: FM8002A SC8002B TC8002D TC8002CS FM8002E FM6809C TC0031 TC4158 TC4863X SC4871A/B PAM8403A SC2822 TC6019 TC6805 TC6871 TC8871 SC2256B/BS SC2313LX SC2314X SC2315X SC3610X TC

    2019-7-17
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  • FN4496-先进的双PWM和线性功率控制

    先进的双PWM和线性电源控制 该HIP6017提供了电源控制和保护三在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该IC集成了PWM控制器,线性稳压器和线性控制器以及到一个28引脚的监测和保护功能SOIC封装。调节PWM控制器微处理器核心电压,具有同步整流降压转换器。线性调节控制器的电力的GTL总线和线性稳压器提供电源时钟驱动电路。该HIP6017包括Intel兼容的TTL 5输入数字至模拟转换器(DAC),调整PWM的核心输出电压2.1VDC至3.5VDC以0.1V递增从1.8VDC至2.05VDC在0.05V为步骤。精密度参考和电压模式控制提供了± 1%的静态监管。线性稳压器

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