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N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrecti

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)1.3Ω ID7A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)1.3Ω ID7A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji
更新时间:2025-6-24 10:58:01
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FUJI/富士电机
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进口原装现货供应,原装 假一罚十

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