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FMC07N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

FMC07N50E

功率MOSFET 400V-500V

FUJI

富士通

FMC07N50E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Super FAP-E3 series Features • Maintains both low power loss and low noise • Lower RDS(on) characteristic • More controllable switching dv/dt by gate resistance • Smaller VGS ringing waveform during switching • Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) • High aval

FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

FMC07N50E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMC07N50E

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

更新时间:2026-3-14 11:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
富士通
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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FUJ
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