位置：首页 > IC中文资料第5227页 > FMK75-01F
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FMK75-01F | HiPerFETPowerMOSFET Features •HiPerFET™technology -lowRDSon -lowgatechargeforhighfrequencyoperation -unclampedinductiveswitching(UIS)capability -dv/dtruggedness -fastintrinsicreversediode •ISOPLUSi4-PACTMpackage -isolatedbacksurface -lowcouplingcapacitybet | IXYS IXYS Corporation |  |   |
HiPerFETTMPowerMOSFETPhaselegTopologyinISOPLUSi4-PACTM ID25=75A VDSS=100V RDSontyp.=18mΩ Features •HiPerFETTMtechnology -lowRDSon -lowgatechargeforhighfrequencyoperation -unclampedinductiveswitching(UIS)capability -dv/dtruggedness -fastintrinsicreversediode •ISOPLUSi4-PACTMpackage - | IXYS IXYS Corporation | | | |
75,100and120AmpereBridgesoProvides0.40C/WJunction-to-Case,ThermalResistance 75,100and120AmpereBridgesProvides0.40°C/WJunction-to-Case,ThermalResistance | edi Electronic devices inc. |  | | |
75,100and120AmpereThreePhaseBridgesoProvides0.23C/WJunction-to-Case,ThermalResistance 75,100and120AmpereThreePhaseBridges Provides0.23°C/WJunction-to-Case,ThermalResistance | edi Electronic devices inc. | | |
FMK75-01F产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMK75-01F
- 功能描述
MOSFET 75 Amps 100V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
13 |
SMA |
25000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD |
SMA |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
ON |
2023+ |
DO-214 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SMA |
60000 |
全新原装现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SMA |
25000 |
原装正品,假一罚十! |
|||
FAIRCHILD |
DO-214AC( |
130000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ON |
23+ |
DO-214 |
20 |
正规渠道,只有原装! |
|||
IXYS |
23+ |
MODULE |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SMA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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2019-11-19
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