位置：首页 > IC中文资料第11422页 > FMI05N60E
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FMI05N60E | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：575.86 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 |   | |
FMI05N60E | 功率MOSFET 600V-700V | Fuji 富士通 | | |
BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Features 600V, 5A, Low VCE(sat) Trench-Gate Field-Stop technology Optimized for conduction Robust RoHS compliant* Applications Switch-Mode Power Supplies (SMPS) Uninterruptible Power Sources (UPS) Power Factor Correction (PFC) | Bourns 伯恩斯 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.99607 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N -Channel P ower MOSFET 文件：603.14 Kbytes Page：2 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | | ||
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N-Channel Power MOSFET 文件：985.21 Kbytes Page：3 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | |
FMI05N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
FMI05N60E
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
TO262 |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FUJI |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
F |
22+ |
T-PACK(L) |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
FUJI/富士电机 |
23+ |
N/A |
11550 |
FUJI/富士电机系列在售 |
FMI05N60E规格书下载地址
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2019-11-19
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