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CJD05N60B | N-ChannelPowerMOSFET 文件：823.62 Kbytes Page：4 Pages | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 |  |   |
CJD05N60B | N-ChannelPowerMOSFET 文件：603.14 Kbytes Page：2 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 |  | |
BIDD05N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) Features 600V,5A,LowVCE(sat) Trench-GateField-Stoptechnology Optimizedforconduction Robust RoHScompliant* Applications Switch-ModePowerSupplies(SMPS) UninterruptiblePowerSources(UPS) PowerFactorCorrection(PFC) | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 |  | | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.99607 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CJ/长电 |
22+ |
TO-251S |
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原装正品现货,可开13点税 |
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CENTRAL |
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CENTRAL |
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SOT252 |
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保证原装正品,假一陪十 |
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CJ/长电 |
2022+ |
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原厂代理 终端免费提供样品 |
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CJ/长电 |
21+ |
TO-251S |
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芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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长电 |
2016 |
TO-251S |
2000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
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国产 |
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CJ/长电 |
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TO-251 |
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