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MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ・HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-27 13:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ATC
22+
SMD
20000
只做原装 品质保障
Qorvo
24+
N/A
3600
原厂渠道保证进口原装正品假一罚十价格合理
TOSHIBA
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TE/泰科
2508+
/
484664
一级代理,原装现货
AMI
23+
PLCC
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
AMI
23+
PLCC
50000
全新原装正品现货,支持订货
ITTCANNON
05+
原厂原装
4595
只做全新原装真实现货供应
HALO
1736+
SOP
15238
原厂优势渠道
24+
7
自己现货

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