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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TIM7785-60SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

TIM7785-60SL

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

TOSHIBA

东芝

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

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TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ・HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM7785-60SL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM7785-60SL

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    MICROWAVE POWER GaAs FET

更新时间:2026-8-1 17:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
25+
66880
原装正品,欢迎询价
TOSHIBA
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SMD
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一级代理原装进口现货
Toshiba
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TOSHIBA现货原装△-更多数量咨询样品批量支持;详询
TOSHIBA/东芝
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TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
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高频管
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高频管全新原装主营-可开原型号增税票
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22+
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TOSHIBA/东芝
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台湾寰达/DIPTRONICS
22+
DIP
2500
原装现货

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