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TIM7785-60ULA

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ・HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM7785-60ULA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM7785-60ULA

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,8GHZ,51W,PD 187.5W - Trays

更新时间:2026-8-2 19:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
24+
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一级代理/全新现货/长期供应!
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA(东芝)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
Toshiba
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
TOSHIBA/东芝
最新
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高频管
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高频管全新原装主营-可开原型号增税票
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25+
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6800
xilinx
25+
.
6000
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