| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FIR6N60 | 高压平面MOS | FS |   | |
N-Channel Power MOSFET 文件：4.9506 Mbytes Page：10 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：3.71763 Mbytes Page：10 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
场效应管 / 高压MOSFERs | FS | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：5.275 Mbytes Page：10 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
功率MOS/高压功率MOS | FS | | ||
6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications | UTC 友顺 | | ||
Avalanche Energy Specified DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements | ISC 无锡固电 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | ||
N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FIRST/福斯特 |
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2023-4-12FIN1049MTCX
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FIN1027M 原装正品，欢迎咨询。
2021-1-4FJB102TM，只售原装现货，上了就有找兴中扬电子
FJB102TM，只售原装现货，上了就有找兴中扬电子
2019-11-30FIN1001
原装现货
2019-9-6FIR7NS65AF
FIR7NS65AF，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-12
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