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FIR11N90

高压平面MOS

FS

场效应管 / 高压MOSFERs

FS

900V N-Channel MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

11 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 11N90 is an N-channel enhancement mode Power FET using UTC’s advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high

UTC

友顺

Fast Switching

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ISC

无锡固电

900V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

900V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-29 11:10:00
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FIRST/福斯特
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