型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGP5N60UFDTU

600V,5AFieldStopIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGP5N60UFDTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 10A 81W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

文件:242.68 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:254.02 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

PowerMOSFET

文件:1.06579 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

文件:396.63 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

FGP5N60UFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGP5N60UFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V, 5A Field Stop

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-3 15:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
FAIRCHILD
11+
TO220
130
全新原装 实单必成
Fairchild仙童
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
FSC/仙童
24+
TO-220
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
N/A
25
原装正品现货供应
FAI
10
FAIRCHILD仙童
23+
TO-220
10000
公司只做原装正品
仙童
1746+
TO220
8862
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!
Fairchild仙童
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
FAIRCHILD
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票

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