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FGH75T65SQDT_F155

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ONSEMI

安森美半导体

FGH75T65SQDT_F155

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:650V FS4 TRENCH IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 75 A

Description Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • Max Juncti

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安森美半导体

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:650V 75A FS4 TRENCH IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-18 11:32:00
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