FGA30S120P价格

参考价格:¥18.1185

型号:FGA30S120P 品牌:Fairchild 备注:这里有FGA30S120P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGA30S120P批发/采购报价,FGA30S120P行情走势销售排行榜,FGA30S120P报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGA30S120P

IGBT

FEATURES · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.75V@IC=30A · High Speed Switching · High Input Impedance APPLICATIONS · General Purpose Inverters · Automotive Chargers · UPS,PFC · Induction Heating

ISC

无锡固电

FGA30S120P

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

FGA30S120P

Shorted AnodeTM IGBT

文件:646.77 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

30.0 Ampere Surface Mount Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S

THINKISEMI

思祁半导体

thinQ!TM SiC Schot tky Diode

文件:753.63 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

文件:144.28 Kbytes Page:2 Pages

MOSPEC

统懋

FGA30S120P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA30S120P

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Shorted AnodeTM IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
1224
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3302
原装现货,当天可交货,原型号开票
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-3P
408
原装正品,假一罚十!
三年内
1983
只做原装正品
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FAIRCHILD
1844+
TO-3P
6528
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
FSC
18+
TO-247
1800
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD
2022+
TO-3P
20000
只做原装进口现货.假一罚十
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-3P
1709
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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