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FG25A03

25.0Amps.GlassPassivatedPowerRectifiersHighreliability

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FCI

Amphenol ICC

FCI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,215A,RDS(ON)=2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=2.3mW@VGS=9V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,215A,RDS(ON)=2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=2.3mW@VGS=9V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-5-24 17:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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