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CEP25A03

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V, 215A, RDS(ON) = 2 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 9V. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

CEP25A03

N Channel MOSFET

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V, 215A, RDS(ON) = 2 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 9V. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

25.0 Amps. Glass Passivated Power Rectifiers High reliability

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FCI

富加宜

更新时间:2025-12-26 8:38:00
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