时间：2020-4-8 9:41:00
1200 V碳化硅（SiC）二极管
安森美半导体二极管的优势包括更快的工作频率，更高的功率密度和更低的EMI
安森美半导体的1200 V碳化硅（SiC）二极管图像安森美半导体的 SiC肖特基二极管采用的技术与硅相比具有更高的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括高效，快速的工作频率，更高的功率密度，更低的EMI以及更低的系统尺寸和成本。
特征
易于并联
高浪涌电流电容
最高结温：+ 175°C
没有反向恢复/没有正向恢复
高开关频率
低正向电压（V F）
正温度系数
符合AEC-Q101和PPAP标准
应用领域
汽车HEV-EV DC / DC转换器
汽车HEV-EV车载充电器
工业动力
全氟化合物
太阳能的
UPS
焊接
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   | |
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