| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FFSM0865B | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：224.28 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSM0865B | 封装/外壳：4-PowerTSFN 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SILICON CARBIDE DIODE 650V 8A PQ 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSM0865B | Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Excellent high frequency performance 文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Ceramic Ball Grid Termination Arrays 文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Ceramic Ball Grid Termination Arrays 文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Excellent high frequency performance 文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：316.01 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
21+ |
2970 |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
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ONSEMI |
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肖特基二极管和整流二极管 |
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2020-4-8
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