| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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FFSB0865A | 丝印代码：FFSB0865A；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSB0865A | 丝印代码：FFSB0865A；Silicon Carbide Schottky Diode 文件：316.01 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB0865A | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：DIODE SBD 8A 650V D2PAK-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB0865A | SiC 二极管，650V，8A，D2PAK | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Excellent high frequency performance 文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Ceramic Ball Grid Termination Arrays 文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Ceramic Ball Grid Termination Arrays 文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | | ||
Excellent high frequency performance 文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages | TTELEC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi |
25+ |
D?PAK-3(TO-263-3) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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ON/安森美 |
22+ |
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12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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ONSEMI |
两年内 |
N/A |
1600 |
原装现货,实单价格可谈 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO263-2 |
60000 |
全新原装现货 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
640 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO263-2 |
7000 |
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onsemi |
23+ |
3200 |
加QQ:78517935原装正品有单必成 |
||||
ONSEMI |
22+ |
SMD |
3200 |
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onsemi |
25+ |
N/A |
21000 |
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1200 V碳化硅（SiC）二极管 安森美半导体二极管的优势包括更快的工作频率，更高的功率密度和更低的EMI
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2020-1-13FFB0824VHE
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2020-1-13
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