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FFSH3065B-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode, 650 V, 30 A 文件：336.68 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSH3065B-F085 | 封装/外壳：TO-247-2 包装：管件 描述：650V 30A SIC SBD GEN1.5 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSH3065B-F085 | 肖特基二极管与整流器 650V 30A SIC SBD | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 30 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：454.59 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
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2020-4-8
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