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FFSB3065B-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 30 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSB3065B-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：454.59 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB3065B-F085 | 碳化硅（SiC）肖特基二极管 - EliteSiC系列30A 650V D2 D2PAK封装 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 30 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode, 650 V, 30 A 文件：336.68 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-8FFB0824VHE
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2020-1-13
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