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FFSB20120A-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSB20120A-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：366.15 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB20120A-F085 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：1200V 20A AUTO SIC SBD 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB20120A-F085 | 碳化硅（SiC）肖特基二极管- EliteSiC 20A 1200V D1 D2PAK封装 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：432.79 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
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1200 V碳化硅（SiC）二极管 安森美半导体二极管的优势包括更快的工作频率，更高的功率密度和更低的EMI
2020-4-8FFB0824VHE
FFB0824VHE，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-1-13
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