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FFSB20120A-F085_V01

SiliconCarbideSchottkyDiode1200V,20A

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-7-5 9:11:00
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