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FFSB1065B-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FFSB1065B-F085 | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：442.09 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FFSB1065B-F085 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：650V 10A SIC SBD GEN1.5 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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2020-4-8FFB0824VHE
FFB0824VHE，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-1-13
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