| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |  |   | |
60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 |  | | |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
FastSwitching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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