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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.02Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co | ISC 无锡固电 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 45A, 20m? 文件：609.14 Kbytes Page：11 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：608.46 Kbytes Page：11 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FDP20AN06A0_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDP20AN06A0_Q
- 功能描述
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220-3 |
20297 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
||||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
FSC |
24+ |
TO-220AB |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
25000 |
原装正品,假一罚十! |
|||
仙童 |
05+ |
TO-220 |
5000 |
原装进口 |
|||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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