型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDB20AN06A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

FDB20AN06A0

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 45A, 20m?

文件:609.14 Kbytes Page:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB20AN06A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20mΩ

ONSEMI

安森美半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

Bychip

百域芯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.02Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:608.46 Kbytes Page:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB20AN06A0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB20AN06A0

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel PT 6V 45A 2 mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-3 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263(D2PAK)
32322
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-263
215
只做原厂渠道 可追溯货源
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
FAIRCHILD/仙童
2447
SOT263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT263
8000
只做原装现货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263(D2PAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD
24+
TO-252
36800
FAIRCHIL
2023+
TO-252
50000
原装现货
Fairchild/ON
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
FAIRCHILD
05+
原厂原装
5157
只做全新原装真实现货供应

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