型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDP11N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.725Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

500V N-CHANNEL MOSFET

„ DESCRIPTION The UTC 11N50is an N-channel enhancement mode power MOSFET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. The U

UTC

友顺

11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

FDP11N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP11N50

  • 功能描述

    MOSFET 11a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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