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FB11N50A

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)

Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Applications Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply High speed powe

IRF

FB11N50A

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

FB11N50A

HEXFET® Power MOSFET VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 11A

Infineon

英飞凌

500V N-CHANNEL MOSFET

„ DESCRIPTION The UTC 11N50is an N-channel enhancement mode power MOSFET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. The U

UTC

友顺

11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-9-27 17:00:00
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