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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =105A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.3 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 105A, 8.3m

文件:564.03 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-31 14:09:01
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