FDP083N15A价格

参考价格:¥10.6340

型号:FDP083N15A_F102 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FDP083N15A多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDP083N15A批发/采购报价,FDP083N15A行情走势销售排行榜,FDP083N15A报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDP083N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =105A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.3 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

FDP083N15A

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,117A,8.3mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDP083N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 105A, 8.3m

文件:564.03 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDP083N15A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDP083N15A

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 150V TO-220-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    PowerTrench®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-22 23:01:00
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